產品介紹：

高純碳化硅粉料作為現代制造的戰略性基礎材料，其純度、粒徑及形貌的精準調控是推動半導體、新能源及國防科技發展的關鍵。本公司生產的超純碳化硅粉體材料主要針對半導體及光伏領域的碳化硅結構件、第三代半導體碳化硅單晶的生長需求，粒徑可實現百微米到毫米級精準控制，產品純度>99.9990%，可達5N、6N級別，其中半絕緣型產品氮含量低于 0.5ppm，導電型產品氮含量可根據需求選擇不同含量區間。主要應用于對碳化硅純度有高要求的領域，如半導體、光伏、特種陶瓷等。

高純碳化硅粉料性能特點：  

 1. 超高純度與低雜質  

 金屬雜質控制：電子級粉料中Fe、Al、Ni等金屬雜質＜1ppm（SEMI標準），保障半導體器件電學性能；  

 氧含量低：氧含量＜0.5wt%，避免高溫燒結中生成SiO?影響致密性。    

 2. 優異熱學與化學穩定性  

 高溫惰性：耐溫＞2000℃，抗氧化性優于石墨；  

 耐腐蝕性：耐受強酸（HF除外）、強堿及熔融金屬侵蝕。  

 3. 功能可調性  

 電學性能調控：通過摻雜（如Al、N）實現n型/p型半導體特性，電阻率范圍10?2~10?Ω·cm；  

 表面改性：包覆SiO?或Al?O?涂層，提升粉體分散性與燒結活性。  

典型應用場景：

 1. 半導體與第三代半導體  

 碳化硅單晶生長：作為籽晶或原料粉，用于生長SiC襯底（純度＞99.9995%）；  

 外延片制造：CVD法沉積SiC外延層，適配新能源汽車、5G基站的高壓功率器件。  

 2. 先進陶瓷與復合材料  

 燒結碳化硅陶瓷：用于光伏晶舟、懸臂槳、噴嘴等高溫部件，抗彎強度＞2500MPa；  

 金屬基復合材料：添加納米SiC粉（5~10vol%），提升鋁合金/鈦合金的耐磨性與剛度。  

 3. 新能源與儲能領域  

 鋰電池負極涂層：納米SiC粉體涂覆石墨負極，提升倍率性能與循環壽命（＞2000次）；  

 核反應堆材料：作為中子吸收劑（與B?C復合），用于控制棒及屏蔽結構。  

 4. 精密涂層與功能材料  

 耐磨涂層：等離子噴涂納米SiC涂層，硬度＞3000HV，用于航空發動機葉片；  

 吸波材料：與樹脂復合制成隱身材料，雷達波吸收率＞90%（8~18GHz頻段）。